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远飞学校艺术生文化课补习-物质的结构与性质1
发布人:王 时间:2016-12-17

1.已知A、B、C、D、E、F、G为前四周期中的七种元素且原子序数依次增大,其中A的基态原子中没有成对电子;B的基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道,且每种轨道中的电子总数相同;C原子核外成对电子数比未成对电子数多1个,其氢化物常用作制冷剂;D原子未成对电子数与周期数相同;在E元素所在周期中该原子的第一电离能最小;F原子价电子排布式为nsn-1npn+1;G原子有6个未成对电子。请回答下列问题:

(1)G元素基态原子的价电子排布式为________。

(2)B、C、D三种元素的最简单氢化物的键角由小到大的顺序为________(填元素符号),常温下硬度****的B单质、E2F、A2D及A2F的沸点由大到小的顺序为______________________________________(填化学式)。

(3)D元素与氟元素相比,电负性:D元素________氟元素(填“>”、“=”或“<”),下列表述中能证明这一事实的是________(填选项序号)。

A.常温下氟气的颜色比D单质的颜色深

B.氟气与D的氢化物剧烈反应,产生D的单质

C.氟与D形成的化合物中D元素呈正价态

D.比较两元素的单质与氢气化合时得电子的数目

(4)B2A4是重要的基本石油化工原料。B2A4分子中B原子轨道的杂化类型为________;1 mol B2A4分子中含σ键________mol。

【答案】 (1)3d54s1 (2)O<N<C C>Na2S>H2O>H2S (3)< BC (4)sp2杂化 5

2.A、B、D、E、F五种元素的原子序数依次增大,除F为过渡元素外,其余四种均是短周期元素。已知:F的单质为生活中最常见的金属之一,原子最外层有2个电子;E原子的价电子排布为msnmpn,B原子的核外L层电子数为奇数;A、D原子p轨道的电子数分别为2和4。请回答下列问题:

(1)F的稳定价态离子的电子排布式是________________,A、B、D、E四种元素的第一电离能由大到小的顺序为________________(用元素符号表示)。

(2)对于B的简单氢化物,其中心原子的轨道杂化类型是________,分子的立体构型为________________,该氢化物易溶于D的简单氢化物的主要原因是______________。

(3)D原子分别与A、B原子形成的单键中,键的极性较强的是________(用具体的化学键表示)。

(4)如图所示的晶胞是由A、D两元素组成的,下列有关该晶体的说法中正确的是________。

a.该晶体的化学式为AD

b.该晶体中A、D原子间形成的是双键

c.该晶体熔点可能比SiO2晶体高

d.该晶体可溶于水

【答案】 (1)1s22s22p63s23p63d5或Ar]3d5 Si<C<O<N

(2)sp3 三角锥形 NH3与H2O分子间易形成氢键

(3)CO (4)c

3.纳米技术制成的金属燃料、非金属固体燃料、氢气等已应用到社会生活和高科技领域。单位质量的A和B的单质燃烧时均放出大量热,可用作燃料。已知A和B为短周期元素,其原子的第一至第四电离能如下表所示:

电离能/(kJ·mol-1)

I1

I2

I3

I4

A

932

1 821

15 390

21 771

B

738

1 451

7 733

10 540

(1)某同学根据上述信息,推断B的核外电子排布如下图所示,该同学所画的电子排布图违背了________。

(2)ACl2分子中A原子的杂化类型为________。

(3)氢气作为一种清洁能源,必须解决它的储存问题,C60可用作储氢材料。已知金刚石中的C—C键的键长大于C60中C—C键的键长,有同学据此认为C60的熔点高于金刚石,你认为是否正确________(填“是”或“否”),并阐述理由______________________________。

(4)科学家把C60和钾掺杂在一起制造了一种富勒烯化合物,其晶胞如图所示,该物质在低温时是一种超导体。写出基态钾原子的价电子排布式______________,该物质的K原子和C60分子的个数比为________。

(5)继C60后,科学家又合成了Si60、N60等,C、Si、N元素的电负性由大到小的顺序是______________________________,NCl3分子的VSEPR模型为________。Si60分子中每个硅原子只跟相邻的3个硅原子形成共价键,且每个硅原子最外层都满足8电子稳定结构,则一个Si60分子中π键的数目为________。

【答案】 (1)能量最低原理 (2)sp杂化 (3)否 C60为分子晶体,熔化时破坏的是分子间作用力,无需破坏共价键

(4)4s1 31 (5)N>C>Si 四面体形 30


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